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參數資料
| 型號： | FCX718 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| 中文描述： | 2500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | FCX718 |
1m
1m
1m
1m
1m
I
C
- Collector Current (A)
V
CE(sat)
v I
C
0
IC/IB=10
IC/IB=50
IC/IB=100
+25°C
-55°C
+100°C
0
I
C
- Collector Current (A)
h
FE
v I
C
0
I
C
- Collector Current (A)
V
BE(on)
v I
C
+100°C
+150°C
+25°C
0
I
C
- Collector Current (A)
V
CE(sat)
v I
C
+100°C
+150°C
+25°C
0
I
C
- Collector Current (A)
V
BE(sat)
v I
C
+25°C
-55°C
IC/IB=50
VCE=2V
-55°C
IC/IB=50
+25°C
+100°C
+150°C
-55°C
0.2
04
0.6
0.8
10m
100m
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
0.2
0.4
0.6
0.8
10m
100m
1
10
300
600
900
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10m
100m
1
10
150
450
750
100m
100
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
10
1
DC
0.01
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
Safe Operating Area
1
10
0.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
FCX718
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD0200YR00AM | DIAC |
| FD0200YR | DIAC |
| FD1000FH-56 | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
| FD1000FV-90 | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
| FD1000FX-90 | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FCX718TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FCX789A | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| FCX789ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FCX790A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| FCX790ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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