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參數(shù)資料
| 型號： | FDA16N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 16.5 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | FDA16N50 |
5
www.fairchildsemi.com
FDA16N50 Rev. B
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA16N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_F109 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA18N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDA16N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_0706 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_F109 | 功能描述:MOSFET 500V 16.5A NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA18N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA200ES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
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