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參數資料
| 型號： | FDA70N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 70 A, 200 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 861K |
| 代理商： | FDA70N20 |
4
www.fairchildsemi.com
FDA70N20 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
vs. Temperature
Figure 9. Safe Operating Area Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
※
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 35 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
100 ms
1 ms
10
μ
s
DC
10 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
]
℃
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
N otes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0.3
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
※
/W M ax.
℃
single pulse
D =0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, Square W ave Pulse D uration [sec]
t
1
P
DM
t
2
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PDF描述 |
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參數描述 |
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