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參數資料
型號: FDB10AN06A0
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: CAP 0.1UF 50V 5% X7R SMD-1206 TR-7-PA SN100
中文描述: 12 A, 60 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: TO-263AB, 3 PIN
文件頁數: 3/11頁
文件大?。?/td> 265K
代理商: FDB10AN06A0
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB10AN06A0 / FDP10AN06A0 Rev. A
F
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
SINGLE PULSE
100
1000
70
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
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PDF描述
FDP120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD120AN15A N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
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相關代理商/技術參數
參數描述
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