- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375778 > FDB10AN06A0 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) CAP 0.1UF 50V 5% X7R SMD-1206 TR-7-PA SN100 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDB10AN06A0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | CAP 0.1UF 50V 5% X7R SMD-1206 TR-7-PA SN100 |
| 中文描述： | 12 A, 60 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 265K |
| 代理商： | FDB10AN06A0 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB10AN06A0 / FDP10AN06A0 Rev. A
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
0.1
1
10
50
3000
60
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
5
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
V
G
,
V
DD
= 30V
I
D
= 75A
I
D
= 12A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP120AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD120AN15A | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD120AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP12N50 | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
| FDP13AN06A | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB10AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB110N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB120N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB12N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
| FDB12N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。