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參數資料
| 型號： | FDB4020P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 16 A, 20 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | FDB4020P |
TO-220 (FS PKG Code 37)
TO-220 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP42AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB42AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP46N30 | DC-DC Converter; Supply Voltage:75V; Output Voltage:5V; Number of Outputs:1; Mounting Type:PC Board; Series:BXA; Efficiency:80%; Leaded Process Compatible:Yes; Output Current:5A; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
| FDP51N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDP52N20 | 200V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB4025 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FDB 40C BKR |
| FDB4030L | 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB4100 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FDB 40C BKR |
| FDB42AN15A0 | 功能描述:MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB42AN15A0_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET |
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