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參數資料
| 型號： | FDB6030 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的邏輯電平的PowerTrench |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 401K |
| 代理商： | FDB6030 |
TO-220 (FS PKG Code 37)
TO-220 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP6030 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDP6030BL | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDB6030BL | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDB6030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDB6035AL | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB6030BL | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB6030BL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDB6030BL_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB6030L | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB6030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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