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參數資料
| 型號： | FDB8443 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| 中文描述： | 25 A, 40 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | FDB8443 |
F
FDB8443
Rev.
A
www.fairchildsemi.com
4
Typical Characteristics
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
CURRENT LIMITED
BY PACKGAE
V
GS
= 10V
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
I
D
,
10
-5
10
-4
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
SINGLE PULSE
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
N
I
θ
J
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
10
-5
10
-4
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
100
1000
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
I
D
,
P
5000
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
2
175 - T
C
150
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