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參數資料
型號: FDB8880
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 11 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: TO-263AB, 3 PIN
文件頁數: 6/11頁
文件大小: 231K
代理商: FDB8880
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8880 / FDB8880 Rev. A
www.fairchildsemicom
F
6
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.9
1.0
1.1
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
1000
2000
0.1
10
30
100
C
V
DS
, DRAIN 1
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 54A
I
D
= 5A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
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PDF描述
FDP8880 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB8896 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm
FDC10-48S05W 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
FDC10 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
FDC10-12D05 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
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