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參數資料
| 型號： | FDC6020C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Complementary PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 5.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, FLMP, SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | FDC6020C |
FDC6020C RevB (W)
Typical Characteristics : Q1
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.5V
-2.0V
-3.0V
-2.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
4
8
12
16
20
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -4.2A
V
GS
= -4.5V
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -2.1A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
4
8
12
16
20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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