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參數資料
| 型號： | FDC6303N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Digital FET, Dual N-Channel |
| 中文描述： | 680 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | FDC6303N |
FDC6303N Rev.C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 4.5 V
I =0.5 A
R
D
0
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
1.5
2
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
3.5
3.0
2.7
2.5
2.0
1.5
D
V = 4.5V
R
D
)
0
0.2
0.4
I , DRAIN CURRENT (A)
0.6
0.8
1
1.2
0.5
1
1.5
2
D
V = 2.0V
2.7
3.0
4.5
3.5
2.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
ID= 0.5A
R
D
125°C
25°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
J
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6304P | RES 160-OHM 0.1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 TR-7-PA ROHS |
| FDC6305 | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDC6305N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDC6306P | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDC6308P | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDC6304P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6304P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC6304P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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