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參數資料
| 型號： | FDC6304P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | RES 160-OHM 0.1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 TR-7-PA ROHS |
| 中文描述： | 460 mA, 25 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | FDC6304P |
FDC6304P Rev.D
-5
-4
-3
-2
-1
0
-1.5
-1.25
-1
-0.75
-0.5
-0.25
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -4.5V
GS
-2.7
-2.5
-2.0
-3.0
-1.5
-3.5
0
0.25
0.5
0.75
1
0.5
1
1.5
2
2.5
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0 V
R
D
-3.5
-4.5
-2.7
-2.5
-3.0
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
-1
-0.75
-0.5
-0.25
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -5V
TJ
125°C
25°C
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.01
0.1
0.5
-
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -2.7V
I = -0.25A
-5
-4.5
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
0
1
2
3
4
5
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
125°C
25°C
I = -0.5A
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PDF描述 |
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