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參數資料
型號: FDC6306P
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述: 1900 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SUPERSOT-6
文件頁數: 4/8頁
文件大小: 235K
代理商: FDC6306P
F
FDC6306P Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
-
D
RDS(ON) LIMIT
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 180°C/W
T = 25°C
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =180°C/W
T = 25°C
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
R (t) = r(t) * R
R =
180
°C/W
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-15V
I = -1.9A
-10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
300
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
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PDF描述
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