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參數資料
| 型號： | FDD3N40 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 400V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 400V N溝道MOSFET |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 735K |
| 代理商： | FDD3N40 |
6
www.fairchildsemi.com
FDD3N40 / FDU3N40 Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3N40TF | 400V N-Channel MOSFET |
| FDD3N40TM | 400V N-Channel MOSFET |
| FDD4141 | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.5 to 3.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD |
| FDD4243 | 40V P-Channel PowerTrench MOSFET -40V, -14A, 44mohm |
| FDD45AN06LA0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 22A, 45m |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDD3N40TF | 功能描述:MOSFET 400V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD3N40TM | 功能描述:MOSFET 400V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD3N50NZ | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 2.5A, 2.5??? |
| FDD3N50NZTM | 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD4141 | 功能描述:MOSFET -40V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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