欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào): FDD45AN06LA0
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 22A, 45m
中文描述: 5.2 A, 60 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝: TO-252AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/11頁(yè)
文件大小: 228K
代理商: FDD45AN06LA0
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD45AN06LA0 Rev. A
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.9
1.0
1.1
-80
-40
0
40
80
120
160
200
1.2
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1200
0.1
1
10
60
20
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 25A
I
D
= 5A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD4685 40V P-Channel PowerTrench MOSFET -40V -32A 27m ohm
FDD5202P P-Channel, Logic Level, MOSFET
FDD5612 2MM SOCKET STRIPS
FDD5614 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD45AN06LA0 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDD45AN06LA0_F085 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD4685 功能描述:MOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD4685_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -32A, 35mΩ
FDD4685_F085 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 40V 8.4A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 农安县| 寿阳县| 辽宁省| 巧家县| 上高县| 青阳县| 金阳县| 临海市| 滕州市| 九江县| 乌兰浩特市| 永吉县| 碌曲县| 汤原县| 庆元县| 陵川县| 自贡市| 冷水江市| 陕西省| 溧水县| 泗水县| 贵州省| 周口市| 海盐县| 桑日县| 陆良县| 天等县| 乐清市| 长宁县| 井冈山市| 二手房| 安阳县| 五河县| 苏尼特右旗| 通山县| 凭祥市| 宁河县| 迁安市| 鹤壁市| 古交市| 新和县|