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參數資料
| 型號： | FDD603AL |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 33 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | FDD603AL |
G
S
D
TO-252
S
D
G
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Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
DSS
Drain-Source Voltage
V
GSS
Gate-Source Voltage
I
D
Maximum Drain Current - Continuous
(Note 1)
Ratings
30
±
20
33
9.5
80
39
3.2
1.3
-55 to +150
Units
V
V
A
T
A
= 25
°
C
(Note 1a)
Maximum Drain Current -Pulsed
Maximum Power Dissipation @ T
C
= 25
o
C
(Note 1)
T
A
= 25
o
C
(Note 1a)
T
A
= 25
o
C
(Note 1b)
Operating and Storage Junction Temperature Range
P
D
W
T
J
, T
stg
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1)
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
2.5
40
96
°
C/W
°
C/W
°
C/W
(Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
Tape Width
Quantity
FDD603AL
FDD603AL
13’’
16mm
2500
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PDF描述 |
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參數描述 |
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