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參數資料
| 型號： | FDG313N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Digital FET, N-Channel |
| 中文描述： | 950 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SC-70, 6 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 713K |
| 代理商： | FDG313N |
F
FDG313N Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
1
2
3
4
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 25°C
I = 0.5A
T = 125°C
A
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 4.5 V
I = 0.95 A
R
D
0
1
2
3
4
0
0.5
1
1.5
2
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 4.5V
3.0V
2.5V
1.5V
2.0V
0
0.5
1
1.5
2
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.5V
4.0V
R
D
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
GS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
J
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG314P | Digital FET, P-Channel |
| FDG315 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDG315N | CAP CER 100PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG316P | CAP CER 1000PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG326 | CAP CER 150PF 630VDC U2J 1206 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDG313N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDG313N_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG314P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG314P_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG315 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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