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參數資料
| 型號： | FDG316P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CAP CER 1000PF 630VDC U2J 1206 |
| 中文描述： | 1600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SC-70, 6 PIN |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FDG316P |
F
FDG316P Rev.
D
Typical Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-6V
-5.0V
-4.5V
-7.0V
-3.5V
V
GS
= -10V
-8.0V
-4.0V
-2.5V
-3.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
2
4
6
8
10
-I
D
, DIRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -4.0V
-5.0V
-6.0V
-7.0V
-8.0V
-10V
-4.5V
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -1.6A
V
GS
= -10V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -0.8A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG326 | CAP CER 150PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG326P | CAP CER 220PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG327NZ | CAP CER 680PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG327N | CAP CER 330PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG328P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDG318P | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG326 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDG326P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG326P_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG327N | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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