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參數資料
| 型號： | FDG326 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CAP CER 150PF 630VDC U2J 1206 |
| 中文描述： | P溝道MOSFET的1.8指定的PowerTrench |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | FDG326 |
FDG326P Rev D(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-1.5V
-2.5V
-2.0V
-1.8V
V
GS
= -4.5V
-3.0V
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
0
1
2
3
4
5
6
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -1.8V
-2.0V
-3.0V
-4.5V
-2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -1.5A
V
GS
= -4.5V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -0.8 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
5
6
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.001
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG326P | CAP CER 220PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG327NZ | CAP CER 680PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG327N | CAP CER 330PF 630VDC U2J 1206 |
| FDG328P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDG329N | CAP CER 220PF 1KVDC U2J 1206 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDG326P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG326P_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG327N | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG327N_Q | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG327NZ | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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