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參數資料
型號: FDG6318PZ
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual P-Channel, Digital FET
中文描述: 500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SC-70, 6 PIN
文件頁數: 3/9頁
文件大小: 217K
代理商: FDG6318PZ
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG6318PZ Rev. B
F
Typical Characteristic
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
0.2
0.4
25
50
75
100
125
150
0.6
-
D
,
T
A
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V
0.01
0.1
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
1
10
0.4
20
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
-
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= -2.5V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
V
GS
= -4.5V
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PDF描述
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