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參數資料
| 型號： | FDI3652 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз |
| 中文描述： | 9 A, 100 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | TO-262AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 272K |
| 代理商： | FDI3652 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 Rev. B
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
0.1
1
10
100
40
5000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 50V
I
D
= 61A
I
D
= 30A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP3652 | CAP CER .39UF 50V 10% X7R 1206 |
| FDB3652 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз |
| FDI8442 | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDJ1027P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDJ1028N | Plug-In Relay; Contacts:DPDT; Contact Carry Current:12A; Coil Voltage AC Max:12V; Relay Mounting:Plug-In; Relay Terminals:8-Pin Octal; Relay Options:Hermetically Sealed; Coil Resistance:72ohm; Contact Carrying Power:1.2W RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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