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參數資料
| 型號： | FDM6296 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | CAP CER 47000PF 100V Y5V 1206 |
| 中文描述： | 11.5 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 3.30 X 3.30 MM, LEAD FREE, MLP-8 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 471K |
| 代理商： | FDM6296 |
4
www.fairchildsemi.com
FDM6296 Rev. D
F
Typical Characteristics
I
D
,
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
25
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
10
100
P
(
,
40
50
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
f
, TIME (sec)
r
T
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.01
0.001
0.1
t
1
, TIME (sec)
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
1
10
100
1000
1800
1500
1200
900
600
300
0
0
4
8
12
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance Characteristics
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Figure 5. Transfer Characteristics
C
16
20
I
D
= 11.5V
f = 1 MHz
V
SS
= 0V
V
DS
= 10V
20V
15V
2.5V
C
rss
C
oss
C
iss
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Phase
V
= 10.0V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 108
°
C/W
T
A
= 25
°
C
SINGLE PULSE
R
θ
= 108
°
C/W
T
A
= 25
°
C
P(pk)
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 108
°
C/W
T
– T
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/t
2
t
1
t
2
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參數描述 |
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