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參數資料
| 型號： | FDMB506P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 6.8 A, 20 V, 30 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 3 X 1.90 MM, ROHS COMPLIANT, MICROFET-8 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | FDMB506P |
FDMB506P Rev C1(W)
Dimensional Outline and Pad Layout
NOTES:
A.
DOES NOT FULLY CONFORM TO JEDEC REGISTRATION,
MO-229, DATED 11/2001.
B.
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C.
DIMENSIONS AND TOLERANCES PER ASME Y14.5M, 1994
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMB668P | P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm |
| FDMC2523P_07 | P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ |
| FDMC2523P | P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ohm |
| FDMC2610_07 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 9.5A, 200mヘ |
| FDMC2610 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET(200V, 9.5A, 200mohm) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDMB668P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC0205 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMC0222 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMC0223 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMC0223S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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