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參數資料
| 型號： | FDMC5614P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 5.7 A, 60 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8 |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | FDMC5614P |
F
FDMC5614P Rev. B
www.fairchildsemi.com
5
Figure 12.
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Transient Thermal Response Curve
Z
θ
J
,
I
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
=108 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
Typical Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDMC8878 | N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 16.5A, 14mohm |
| FDMF6700 | Driver plus FET Multi-chip Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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