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參數資料
| 型號： | FDMC5614P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 5.7 A, 60 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | FDMC5614P |
F
FDMC5614P Rev. B
www.fairchildsemi.com
6
Dimensional Outline and Pad Layout
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDMC8554 | N-Channel Power Trench MOSFET 20V, 16.5A, 5mohm |
| FDMC8854 | N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 15A, 5.7mohm |
| FDMC8878 | N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 16.5A, 14mohm |
| FDMF6700 | Driver plus FET Multi-chip Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDMC6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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