- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375777 > FDN336 (Fairchild Semiconductor Corporation) Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDN336 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 單P溝道MOSFET的2.5V的指定PowerTrenchTM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | FDN336 |
FDN336P Rev.C
00
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
100 300
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =270°C/W
T = 25°C
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
R (t) = r(t) * R
R = 270 °C/W
Duty Cycle, D = t /t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
100
200
400
700
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-15V
I = -1.3A
-10V
0.2
0.5
1
3
5
10
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
RDS(ON) LIMIT
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 270°C/W
T = 25°C
A
JA
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN336P | Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDN337N | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN338 | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN338P | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN339AN | N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDN336P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN336P_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDN336P-NL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerTrench® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| FDN337N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN337N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。