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參數資料
| 型號： | FDN372S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET |
| 中文描述： | 2600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | FDN372S |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN5618 | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDN5618P | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDN5630 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP047AN08A0 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
| FDP047AN08 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDN372S_F095 | 制造商:Fairchild 功能描述:30V/16V, 40/50MO, NCH, SYNCFET |
| FDN372S_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN537N | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN5618 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDN5618P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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