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參數資料
| 型號： | FDP2572 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLOGY |
| 中文描述： | 類立體聲功率200W - T的數字音頻放大器驅動程序使用數字功率處理技術 |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | FDP2572 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2572 / FDP2572 Rev. B
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
150
1000
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
V
G
,
V
DD
= 75V
I
D
= 9A
I
D
= 4A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
| FDP2614 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDP2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 150V, 29A, TO-220AB |
| FDP2572_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 150V, 29A, 54m?? |
| FDP2572_Q | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP2614 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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