- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375779 > FDP5800 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDP5800 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 80 A, 60 V, 0.0126 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 575K |
| 代理商： | FDP5800 |
F
FDP5800 Rev. A
www.fairchildsemi.com
3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
Figure 6. Gate Charge Characteristics
0.1
V
DS
,Drain-Source Voltage[V]
1
10
100
3
0.03
400
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 10.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
I
D
,
5
1
2
3
4
5
0.1
1
10
100
1000
150
o
C
-55
o
C
25
o
C
I
D
,
V
GS
,Gate-Source Voltage[V]
V
DS
= 6V
0
40
80
120
160
200
4.0
4.5
5.0
5.5
* Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
[
m
]
,
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
V
SD
, Body Diode Forward Voltage [V]
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
1000
V
GS
= 0V
150
o
C
I
S
,
25
o
C
10
-1
10
0
10
1
1500
3000
4500
6000
7500
9000
C
oss
C
iss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note:
1. V
GS
= 0V
2. f = 1MHz
C
rss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
100
30
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
* Note : I
D
= 80A
V
DS
= 25V
V
DS
= 35V
V
DS
= 50V
V
G
,
Q
g
, Total Gate Charge [nC]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP5N50 | N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
| FDPF5N50 | N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
| FDP6030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDP61N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FDP65N06 | 60V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDP5N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP5N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FDP5N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55ヘ |
| FDP5N50F_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55?? |
| FDP5N50NZ | 功能描述:MOSFET N-Chan UniFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。