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參數資料
| 型號： | FDP61N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 61 A, 200 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 657K |
| 代理商： | FDP61N20 |
3
www.fairchildsemi.com
FDP61N20 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250
2. T
C
= 25
Pulse Test
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
10
0
10
1
10
2
150
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
Pulse Test
25
I
D
,
10
-1
10
0
10
1
0
2000
4000
6000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
V
DS
= 40V
Note : I
D
= 61A
V
G
,
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP65N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FDP6644S | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ |
| FDP6670AL | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDP6670AS | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDP6670AS_NL | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDP61N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR TYPE:MOSFET |
| FDP65N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP6644 | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP6644S | 功能描述:MOSFET 30V/16V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP6670AL | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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