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參數資料
型號: FDP7030
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
中文描述: N溝道MOSFET的邏輯電平PowerTrenchTM
文件頁數: 4/5頁
文件大小: 112K
代理商: FDP7030
FDP7030BL/FDB7030BL Rev D1(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 30A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
500
1000
1500
2000
2500
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
100μs
100m
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.5
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10mS
10μs
1mS
0
1000
2000
3000
4000
5000
0.00001
0.0001
0.001
t
1
, TIME (sec)
0.01
0.1
1
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.5°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JC
(t) = r(t) * R
θ
JC
R
θ
JC
= 2.5 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JC
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk
t
1
t
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
F
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PDF描述
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