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參數資料
| 型號： | FDP8441 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET (40V, 80A, 2.7mohm) |
| 中文描述： | 23 A, 40 V, 0.0027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | FDP8441 |
F
FDP8441 Rev.A
www.fairchildsemi.com
6
Figure 11.
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
N
T
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE
(
o
C
)
V
GS
=
V
DS
I
D
=
250
μ
A
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE
(
o
C
)
N
B
I
D
= 250
μ
A
Figure 13.
0.1
1
10
100
1000
10000
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
(
V
)
50
40000
Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14.
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
I
D
= 80A
V
DD
= 20V
V
DD
= 15V
V
DD
= 25V
V
G
,
Q
g
,
GATE CHARGE(nC)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
Typical Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDP8442 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP8442_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 80A, 3.1m?? |
| FDP8442_F085 | 功能描述:MOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP8443 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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