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參數資料
型號: FDPF18N50
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 18 A, 500 V, 0.265 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁數: 3/10頁
文件大小: 1042K
代理商: FDPF18N50
3
www.fairchildsemi.com
FDP18N50 / FDPF18N50 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
I
D
, Drain Current [A]
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
* Note : T
J
= 25
o
C
R
D
]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
10
0
10
1
10
2
150
o
C
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
V
DS
= 100V
* Note : I
D
= 18A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關PDF資料
PDF描述
FDP20N50F N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 20A, 0.26ヘ
FDP20N50 500V N-Channel MOSFET
FDP20N50_07 500V N-Channel MOSFET
FDPF20N50 500V N-Channel MOSFET
FDP2552 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 37A, 36mз
相關代理商/技術參數
參數描述
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