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參數資料
型號: FDS2572
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET
中文描述: 4.9 A, 150 V, 0.053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝: PLASTIC, SO-8
文件頁數: 3/12頁
文件大小: 273K
代理商: FDS2572
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2572 Rev. B, October 2001
F
Typical Characteristic
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
0.001
0.01
0.1
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-5
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
10
100
600
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
C
125
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-5
TRANSCONDUCTANCE
IN THIS REGION
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PDF描述
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