- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄375781 > FDS3580 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) CAP CER 33000PF 630V X7R 1210 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDS3580 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | CAP CER 33000PF 630V X7R 1210 |
| 中文描述： | 7600 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | FDS3580 |
F
FDS3580 Rev. B
Typical Characteristics
(continued)
0
0.01
0.1
1
10
100
300
10
20
30
40
50
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =125°C/W
T = 25°C
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
001
0.1
t , TI ME (s e c)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
001
002
005
0.1
0.2
0.5
1
T
r
S n g l e P ul s e
D = 05
01
0.05
0.02
001
02
D u t y C y c l e, D = t /t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 125°C/ W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 7.6A
V
DS
= 10V
20V
40V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS3590 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3601 | CAP CER 15000PF 1KV 10% X7R 1210 |
| FDS3612 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3670 | RECTIFIER STANDARD SINGLE 1A 100V 100 30A-ifsm 5uA-ir 1V-vf DO-41 1K/BULK |
| FDS3672 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 7.5A, 22mз |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDS3580_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3590 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3601 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3601N | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | SO |
| FDS3612 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。