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參數資料
| 型號： | FDS3580 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CAP CER 33000PF 630V X7R 1210 |
| 中文描述： | 7600 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | FDS3580 |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS3590 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3601 | CAP CER 15000PF 1KV 10% X7R 1210 |
| FDS3612 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3670 | RECTIFIER STANDARD SINGLE 1A 100V 100 30A-ifsm 5uA-ir 1V-vf DO-41 1K/BULK |
| FDS3672 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 7.5A, 22mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS3580_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3590 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3601 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3601N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | SO |
| FDS3612 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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