- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375781 > FDS3680 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDS3680 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 5200 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | FDS3680 |
FDS3680 Rev B1 (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 6A
V
DS
= 15V
30
V
50V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
20
40
60
80
100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TI ME (s e c)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
S i n g l e P u l s e
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
D u t y C y c l e, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125°C/ W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS3682 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 6A, 35mз |
| FDS3690 | DIODE ZENER SINGLE 1000mW 7.5Vz 34mA-Izt 0.05 10uA-Ir 5Vr DO41-GLASS 5K/AMMO |
| FDS3692 | N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m??? |
| FDS3812 | 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET |
| FDS3890 | 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS3680_0011 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3682 | 功能描述:MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3682_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS3682_Q | 功能描述:MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3690 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。