- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375781 > FDS3680 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDS3680 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 5200 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | FDS3680 |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS3682 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 6A, 35mз |
| FDS3690 | DIODE ZENER SINGLE 1000mW 7.5Vz 34mA-Izt 0.05 10uA-Ir 5Vr DO41-GLASS 5K/AMMO |
| FDS3692 | N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m??? |
| FDS3812 | 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET |
| FDS3890 | 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS3680_0011 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3682 | 功能描述:MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3682_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS3682_Q | 功能描述:MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS3690 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。