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參數資料
型號: FDS4953
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
中文描述: 5 A, 30 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: SO-8
文件頁數: 17/18頁
文件大小: 339K
代理商: FDS4953
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 17
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
P
RINTED
C
IRCUIT
B
OARD
Bottom Layer
Top Layer
相關PDF資料
PDF描述
FDS6612A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS5170N7 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5670 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5672 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5680 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FDS4953_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5170N7 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS5351 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS5670 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS5670 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8
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