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參數(shù)資料
| 型號： | FDS5170N7 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 10.6 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | FLMP, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | FDS5170N7 |
FDS5170N7 Rev C1(W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FDS5670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH 60V |
| FDS5672 | 功能描述:MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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