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參數資料
型號: FDS6672
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
元件分類: MOSFETs
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 205K
代理商: FDS6672
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關PDF資料
PDF描述
FDS6672A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6673AZ 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6675A 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6675 Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6676AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FDS6672A 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6672A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
FDS6672A_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6673AZ 功能描述:MOSFET 30V SO8 PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6673BZ 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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