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參數資料
| 型號： | FDS6685 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | FDS6685 |
F
FDS6685 Rev. B
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance Characteristics
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
001
0.1
t , TI ME (s e c)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
001
002
005
0.1
0.2
0.5
1
T
r
S n g l e P ul s e
D = 05
01
0.05
0.02
001
02
D u t y C y c l e, D = t /t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°
C/ W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
500
1000
1500
2000
2500
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -8.8A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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