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參數(shù)資料
型號(hào): FDS6900AS
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: Dual N-Ch PowerTrench SyncFET
中文描述: 8200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SO-8
文件頁(yè)數(shù): 7/10頁(yè)
文件大小: 183K
代理商: FDS6900AS
FDS6900AS Rev
B
(X)
Typical Characteristics Q1
0
2
4
6
8
10
0
2
4
Q
g
, GATE 6
8
10
12
V
G
,
I
D
= 6.9A
V
DS
= 10V
15V
20V
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 18. Gate Charge Characteristics.
Figure 19. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
10
100
1000
t
1
, TI1
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
Figure 20. Maximum Safe Operating Area.
Figure 21. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 22. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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