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參數資料
| 型號： | FDS6900S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N-Ch PowerTrench SyncFet⑩ |
| 中文描述： | 6.9 A, 30 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | FDS6900S |
FDS6900S Rev C (W)
Typical Characteristics: Q2
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
=8.2A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6910 | Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDS6912A | Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6912 | Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6930A | Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6930B | Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS6910 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6910-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS6910 Series 30V 13 mOhm Dual N-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet- SOIC-8 |
| FDS6911 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6911_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 20V, 7.5A, 13m?? |
| FDS6912 | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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