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參數(shù)資料
| 型號： | FDS6912 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 6 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | FDS6912 |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6930A | Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6930B | Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDS6961 | Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6961A | Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDS6912_0007 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6912A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6912A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS6912A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDS6912A_Q | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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