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參數資料
| 型號： | FDS8433 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| 中文描述： | 單P溝道MOSFET的2.5V的指定 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | FDS8433 |
F
FDS8433A Rev. B1
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -5A
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
-2.5V
-3.5V
-3.0V
V = -4.5V
-1.5V
-2.0V
0
10
20
30
40
50
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
- I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0V
R
D
-4.0V
-4.5V
-2.5V
-3.5V
-3.0V
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.001
0.01
0.1
1
3
10
-
25°C
-55°C
V = 0V
S
T =125°C
0.4
0.8
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
1.2
1.6
2
0
2
4
6
8
10
-
V = -5V
D
125°C
25°C
T = -55°C
1
2
3
4
5
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -2.5A
D
T = 125°C
25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8433A | Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| FDS8670 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8870_NL | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8874 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS8433A | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS8433A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
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| FDS8447-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS8447 Series N-Channel 40 V 10.5 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
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