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參數資料
型號: FDS8433A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET
中文描述: 5000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SOIC-8
文件頁數: 4/8頁
文件大?。?/td> 196K
代理商: FDS8433A
F
FDS8433A Rev. B1
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
3000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
DS
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I =-5.0A
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
0.01
0.1
1
10
100
-
D
RDS(ON) LIMIT
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 125°C/W
T = 25°C
JA
GS
DC
1s
10s
100ms
10ms
1ms
100us
0
0.01
0.1
1
10
100
300
10
20
30
40
50
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =125°C/W
T = 25°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
R (t) = r(t) * R
R =
125
°C/W
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