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參數資料
| 型號： | FDS8896 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| 中文描述： | 15 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | FDS8896 |
F
M
FDS8896 Rev. A1
www.fairchildsemi.com
7
Test Circuits and Waveforms
Figure 14. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 15. Unclamped Energy Waveforms
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Figure 17. Gate Charge Waveforms
Figure 18. Switching Time Test Circuit
Figure 19. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
Q
g(5)
V
GS
= 5V
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8926A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8928A | Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| FDS8934A | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDS89141 | 功能描述:MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS89161 | 功能描述:MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS89161LZ | 功能描述:MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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