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參數資料
| 型號： | FDS8928A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 5.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | FDS8928A |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8934 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8934A | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8936S | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8936 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8936A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS8934 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8934A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS8935 | 功能描述:MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS8936 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8936A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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