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參數(shù)資料
型號(hào): FDU6692
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 54 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝: IPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大小: 84K
代理商: FDU6692
FDD/ FDU6692 Rev. C(W)
D
R
P
DS(ON)
Notes:
1.
R
JA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R
θ
JC
is guaranteed by design while R
θ
CA
is determined by the user's board design.
a) R
θ
JA
= 40°C/W when mounted on a
1in
2
pad of 2 oz copper
b) R
JA
= 96°C/W when mounted
on a minimum pad.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2.
Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
3.
Maximum current is calculated as:
where P
D
is maximum power dissipation at T
C
= 25°C and R
DS(on)
is at T
J(max)
and V
GS
= 10V. Package current limitation is 21A
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD6692 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDU7030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD7030 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD7030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDU8874 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDU6692_Q 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDU6696 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDU6696_Q 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDU6776A_F071 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench? MOSFET 25 V, 7.5 mΩ
FDU6780A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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